| 相变存储器存储单元及其制备方法 | |
| 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
| 2007-03-21 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1933207 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆 盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔 洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖 有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状加 热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相变材料层上覆盖 有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并在其内填充了与相变材料相通 的上电极材料。本发明将相变材料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的 孔洞里，在电脉冲对存储单元进行操作时， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 申请日期 | 2006-10-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610117153.X |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48351]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,刘波,封松林,等. 相变存储器存储单元及其制备方法. CN1933207. 2007-03-21. |
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