CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文
Chinese physics B, 2018
作者:  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Wang HB(王海滨);  Ji LL(季兰龙)
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/12
Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells 会议论文
作者:  Zhentao Li;  Zheng ZS(郑中山);  Zhao K(赵凯);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊)
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/13
A Single Event Upset Tolerant Latch Design 会议论文
作者:  Haibin Wang;  Xixi Dai;  Yangsheng Wang;  Issam Nofal;  Li Cai
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/13
A Single Event Upset Tolerant Latch Design 期刊论文
Microelectronics Reliability, 2018
作者:  Haibin Wang;  Xixi Dai;  Yangsheng Wang;  Issam Nofal;  Li Cai
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/12
Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells 会议论文
作者:  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山)
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/07/20
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017
作者:  Ceng CB(曾传滨);  Zhao FZ(赵发展);  Yan WW(闫薇薇)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/16
Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM 会议论文
作者:  Zhang HY(张宏远);  Wang LF(王林飞);  Liu HN(刘海南);  Chen LK(陈丽坤);  Zhou YL(周月琳)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/19
Comparison of Decoupling Resistors and Capacitors for Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM Cells 会议论文
作者:  Zheng ZS(郑中山)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/15
异步TSPC分频器的激光脉冲实验研究 会议论文
上海, 2015-06-25
作者:  曾传滨;  鲍进华;  李博
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/10/14
REDUCING SINGLE EVENT UPSET BY LOWERING THE THRESHOLD VOLTAGE OF TRANSISTORS 会议论文
作者:  Zheng ZS(郑中山)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/05/07

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace