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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利 专利号: US9679962, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2016-06-30 作者:  朱慧珑;  许淼;  赵利川 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/18 Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan 期刊论文 Applied Surface Science, 2016 作者:  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真);  He XB(贺晓彬);  Li CL(李春龙);  Li JJ(李俊杰) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09 半导体器件制造方法 专利 专利号: US9425288, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2014-01-09 作者:  钟汇才;  梁擎擎;  赵超 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/06/12 Bulk FinFETs with body spacers for improving fin height variation 期刊论文 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Wei X(魏星);  Zhu HL(朱慧珑);  Zhang YB(张严波);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/09 "Process Impact and Design Optimization on the 期刊论文 ECS Transactions, 2011 作者:  Li M(李萌) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/16