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微电子研究所 [7]
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专题:微电子研究所
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一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器
专利
专利号: CN201610258335.2, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-07-20
作者:
吕杭炳
;
刘明
;
刘琦
;
龙世兵
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/03/06
Cu互连及其关键工艺技术研究现状
期刊论文
半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 4,374-377
作者:
赵超荣
;
杜寰
;
刘梦新
;
韩郑生
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/05/27
铜互连 阻挡层材料
电化学镀铜
化学机械抛光
ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性
期刊论文
电子学报, 2004, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 1302-1304
作者:
吉元
;
王晓冬
;
李志国
;
卢振军
;
夏洋
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/26
Cu互连线
晶体学取向
晶粒尺寸
电徙动
SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响
期刊论文
北京科技大学学报, 2003, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 3,33-35
作者:
张国海
;
龙世兵
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/05/25
Sio2/ta界面
SiO2/Tal界面反应及其对铜扩散的影响
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 5,1046_1050
作者:
龙世兵
;
张国海
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/05/25
Sio2/ta界面
ULSI铜互连线技术中的电镀工艺
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 4,1093-1096
作者:
张国海
;
龙世兵
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2010/05/25
集成电路
具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法
专利
专利号: CN201110377995.X, 公开日期: 2013-06-05
作者:
赵超
;
钟汇才
;
李俊峰
;
罗军
;
陈大鹏
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提交时间:2012/12/14
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