SiO2／Tal界面反应及其对铜扩散的影响

	SiO2／Tal界面反应及其对铜扩散的影响
	龙世兵; 张国海
刊名	半导体学报
	2002
卷号	23 期号:10 页码:5,1046_1050
关键词	Sio2／ta界面
ISSN号	0253-4177
产权排序	2
英文摘要	利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜，采用X射线光电子能谱（XPS）研究了SiO2/Ta界面以及Ts5Si3标准样品，并进行计算机谱图拟合分析，实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应，37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6TaO5，界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3,Ta2O5,在采用Ta作阻抗层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡。
公开日期	2010-05-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/784]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	龙世兵,张国海. SiO2／Tal界面反应及其对铜扩散的影响[J]. 半导体学报,2002,23(10):5,1046_1050.
APA	龙世兵,&张国海.(2002).SiO2／Tal界面反应及其对铜扩散的影响.半导体学报,23(10),5,1046_1050.
MLA	龙世兵,et al."SiO2／Tal界面反应及其对铜扩散的影响".半导体学报 23.10(2002):5,1046_1050.