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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 专利 专利号: CN200610109562.5, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 2008-02-13 作者:  龙世兵;  李志刚;  刘明;  陈宝钦 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 专利 专利号: CN101471260, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2009-07-01, 2010-11-26 作者:  黎明;  徐静波;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究 期刊论文 半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 4，15-18 作者:  李潇;  张海英;  李海鸥;  刘亮;  尹军舰 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  赝配超晶格高电子辽移率晶体管  低温合金  欧姆接触   采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法 专利 专利号: CN200710179371.0, 公开日期: 2009-06-17 作者:  陈晨;  陈宝钦;  龙世兵;  谢常青;  王琴 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2010/11/26 利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法 专利 专利号: CN200710176277.X, 公开日期: 2009-04-29 作者:  涂德钰;  陈宝钦;  贾锐;  刘明;  李维龙 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26