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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者: 李诚瞻; 汤益丹 ; 申华军 ; 白云 ; 周静涛![](/image/person.jpg)
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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利 专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11 作者: 汤益丹 ; 白云 ; 申华军 ; 霍瑞彬; 刘新宇![](/image/person.jpg)
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| 60v屏蔽栅沟槽型功率MOSFET的优化设计 学位论文 : 中国科学院大学, 2017 作者: 罗小梦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2017/08/22 |
| 航天DC-DC用高压抗辐射加固功率MOSFET研究-中国航天科技集团公司2013年元器件专题论坛 期刊论文 中国航天科技集团公司2013年元器件专题论坛, 2013 作者: 高博
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2014/10/22 |
| 一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路 专利 申请日期: 2013-06-04, 作者: 周虹珊; 温景超; 王立新
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2016/09/13 |
| 基于结构函数的功率MOSFET器件热特性研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2013 作者: 肖超
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2017/10/13 |
| 全固态高效率射频电源 期刊论文 半导体技术, 2011 作者: 吕霞
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2012/11/14 |
| 国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究 期刊论文 核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 3,613-615 作者: 刘刚 ; 蔡小五 ; 韩郑生 ; 陆江 ; 王立新![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/05/27
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| 一种抗辐照功率MOSFET器件 期刊论文 核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4,1167-1170 作者: 王立新 ; 夏洋 ; 蔡小五 ; 刘刚 ; 韩郑生![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2010/05/27
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| 星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究 期刊论文 原子能科学技术, 2008, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 5,1125-1129 作者: 薛玉雄; 陆江; 蔡小五; 刘刚; 杨世宇
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