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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on high-temperature performances of 1.3-mu m InGaAsP-InP strained multiquantum-well buried-heterostructure lasers 期刊论文 Ieee Photonics Technology Letters, 2005, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 276-278 J. Y. Jin; J. Shi; D. C. Tian 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 cavity length  high-temperature performance  multiquantum-well (MQW)  output power degradation  semiconductor lasers  stripe width  efficiency  mode   Fabrication and complete characterization of polarization insensitive 1310 nm InGaAsP-InP quantum-well semiconductor optical amplifiers 期刊论文 Semiconductor Science and Technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 120-126 J. Y. Jin; D. C. Tian; J. Shi; T. N. Li 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/14 wavelength conversion  tensile  transmission  modulation  lasers  fiber  gain   Optimization of InGaAsP-InP tensile strained multiple quantum-well structures emitting at 1.34 mu m 期刊论文 Semiconductor Science and Technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 742-746 J. Y. Jin; J. Shi; D. C. Tian 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/14 differential gain  lasers  amplifiers  1.3-mu-m   Study on the effects of well number on temperature characteristics in 1.3-mu m InGaAsP-InP quantum-well lasers 期刊论文 Infrared Physics & Technology, 2004, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 209-215 J. Y. Jin; D. C. Tian; J. Shi; T. N. Li 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/04/14 MOVPE  InGaAsP/InGaAsP SL-MQW  well number  characteristic temperature  semiconductor lasers  semiconductor-lasers  dfb laser  operation  amplifiers  design  gain