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科研机构
金属研究所 [5]
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期刊论文 [5]
发表日期
1995 [4]
1992 [1]
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用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响
期刊论文
金属学报, 1995, 期号: 17, 页码: 238-240
谷月峰,邓文,郭建亭,熊良钺,林栋梁
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/12
正电子湮没
Ni_3Al
Zr
缺陷态
金属的传导电子密度与正电子湮没率的关系
期刊论文
金属学报, 1995, 期号: 10, 页码: 438-444
王京阳,熊良钺,龙期威
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2012/04/12
金属传导电子密度
正电子湮没率
离散变分X_α方法
半导体中正电子向表面的扩散
期刊论文
核技术, 1995, 期号: 4, 页码: 199-202
姜健,周新章,朱洁,龙期威
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/12
半导体
正电子
半无限介质
薄膜
用正电子湮没技术研究Zr对Ni3Al缺陷态的影响
期刊论文
金属学报, 1995, 卷号: 31.0, 期号: 005, 页码: B238-B240
作者:
谷月峰
;
邓文
;
郭建亭
;
熊良钺
;
林栋梁
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提交时间:2021/02/26
正电子湮没
Ni3Al
缺陷态
金属间化合物
用正电子湮没技术研究硼在Ni_3Al中的存在形式
期刊论文
金属学报, 1992, 期号: 10, 页码: 21-24
邓文
;
熊良钺
;
龙期威
;
王淑荷
;
郭建亭
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2012/04/12
Ni_3Al
正电子湮没
硼含量
缺陷
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