半导体中正电子向表面的扩散

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	半导体中正电子向表面的扩散
	姜健，周新章，朱洁，龙期威
刊名	核技术
	1995-04-10
期号	4 页码:199-202
关键词	半导体正电子半无限介质薄膜
中文摘要	考虑到半导体中内电场的存在对半无限介质和有限厚度薄膜中的正电子扩散过程，在各种边界条件下，利用δ函数法计算了正电子向表面扩散分数。这些结果为半导体多层复合结构中的慢正电子束实验结果的分析提供了理论基础。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28245]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姜健，周新章，朱洁，龙期威. 半导体中正电子向表面的扩散[J]. 核技术,1995(4):199-202.
APA	姜健，周新章，朱洁，龙期威.(1995).半导体中正电子向表面的扩散.核技术(4),199-202.
MLA	姜健，周新章，朱洁，龙期威."半导体中正电子向表面的扩散".核技术 .4(1995):199-202.