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科研机构
兰州大学 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2014 [1]
学科主题
metallurgy... [1]
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Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure
期刊论文
Applied Surface Science, 2015, 卷号: 356, 期号: 30, 页码: 1052-1057
作者:
Lin Ye
;
Miao Zhang
;
Zengfeng Di
;
Zhongyin Xue
;
Jianhong Yang
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提交时间:2015/10/09
Defect density
Condensation
Defects
Dislocations (crystals)
Germanium
Hole mobility
Interfaces (materials)
Semiconductor insulator boundaries
Silicon alloys
Silicon wafers
Density of defects
Ge condensation
Ge on insulators
Low defect densities
SiGe-on-insulator structures
Threading dislocation
Threading dislocation densities
Wafer manufacturing
GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs /Ge substrate
会议论文
2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014, Guilin, China, October 28, 2014 - October 31, 2014
作者:
Chang, Yongwei
;
Chen, Da
;
Di, Zengfeng
;
Zhang, Miao
;
Yu, Wenjie
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提交时间:2017/01/20
Semiconducting gallium
Bonding
Chemical bonds
Etching
Gallium arsenide
Germanium
Molecular beam epitaxy
Silicon oxides
Silicon wafers
Wafer bonding
Annealing temperatures
Bulk substrates
Chemical etching
Dose implantation
Epitaxial GaAs
High-crystalline quality
Room temperature bonding
Sacrificial layer
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