×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
兰州大学 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
2006 [1]
1994 [1]
1993 [1]
1991 [1]
更多...
学科主题
physics [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共13条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:兰州大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Study on the electronic structure and elastic constants of uranium dioxide by first principles
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 097101-1-097101-6
作者:
Fan, H
;
Wang, SS
;
Li, YH
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/01/13
DFT plus U
the Hubbard U parameters
UO2
property
DFT+U
U_(eff)值
UO_2
性质
钙钛矿电子结构的密度泛函理论研究
期刊论文
石油化工高等学校学报, 2011, 期号: 2, 页码: 40-42+46
作者:
徐明
;
孙兆林
;
陈永昌
;
王凌涛
;
宋丽娟
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/04/23
密度泛函理论
钙钛矿
催化
态密度
Density of defect states in low-k porous SiO2 : F film researched by SCLC method
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 6, 页码: 2936-2940
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/05/25
density of states
SCLC
porous SiO2 : F
low k
a-Si:H_a-SiC_x:H超晶格的界面特性
期刊论文
物理学报, 1994, 期号: 11, 页码: 7
作者:
陈光华
;
郭永平
;
姚江宏
;
宋志忠
;
张仿清
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/04/27
超晶格:8752
a-Si:2767
态密度:2067
缺陷态:1809
界面缺陷:1535
光学带隙:1360
半导体超晶格:1158
界面区域:977
火行为:920
热稳定性:914
a-Si∶H_a-Ge∶H超晶格的电学特性研究
期刊论文
兰州大学学报, 1993, 期号: 1, 页码: 36-41
作者:
王印月
;
许怀哲
;
陈光华
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2015/04/27
超点阵
电导率
能隙
掺过渡金属钴的非晶硅薄膜和ESR的光电特性的研究
期刊论文
半导体学报, 1991, 期号: 6, 页码: 376-380
作者:
陈光华
;
张津燕
;
甘润今
;
张仿清
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/04/27
光电特性:5785
金属钴:3612
硅薄膜:3449
杂质浓度:3161
光学带隙:2907
过渡金属:2862
悬挂键:2310
非晶:2099
室温电导率:1825
关系曲线:1363
用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic:H膜的隙态密度
期刊论文
兰州大学学报, 1990, 期号: 3, 页码: 37-41
作者:
王印月
;
王辉耀
;
张仿清
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2015/04/27
温度调剂
空间电荷限制电流
先诱导效应
非晶硅
隙态密度
用光学方法研究掺硼a-Si↓(1-x)C↓x:H膜的隙态密度
期刊论文
无机材料学报, 1989, 期号: 4, 页码: 343-346
作者:
王印月
;
吴现成
;
陈光华
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/04/27
隙态密度
光吸收
P 型非晶硅碳氢膜
用高频电容-电压法研究GD-α-Si:H的隙态密度
期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1989, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 46
作者:
王印月
;
胡著华
;
陈光华
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2016/09/20
高频电容-电压法
GD-α-Si:H
隙态密度
用空间电荷限制电流法测量非晶硅基薄膜的隙态密度
期刊论文
无机材料学报, 1987, 期号: 3, 页码: 252-257
作者:
王印月
;
张亚非
;
徐希翔
;
刘宗文
;
张仿清
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2015/04/27
非晶硅
空间电荷限制电流
隙态密度
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace