a－Si：H_a－SiC＿x：H超晶格的界面特性

	a－Si：H_a－SiC＿x：H超晶格的界面特性
	陈光华; 郭永平; 姚江宏; 宋志忠; 张仿清
刊名	物理学报
	1994-11-30
期号	11 页码:7
关键词	超晶格:8752 a－Si:2767 态密度:2067 缺陷态:1809 界面缺陷:1535 光学带隙:1360 半导体超晶格:1158 界面区域:977 火行为:920 热稳定性:914
其他题名	a-Si:H/a-SiC↓x:H超晶格的界面特性
中文摘要	报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102076]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,郭永平,姚江宏,等. a－Si：H_a－SiC＿x：H超晶格的界面特性[J]. 物理学报,1994(11):7.
APA	陈光华,郭永平,姚江宏,宋志忠,&张仿清.(1994).a－Si：H_a－SiC＿x：H超晶格的界面特性.物理学报(11),7.
MLA	陈光华,et al."a－Si：H_a－SiC＿x：H超晶格的界面特性".物理学报 .11(1994):7.