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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成 期刊论文 半导体技术, 2008, 卷号: 33, 页码: 121-125 作者:  赵亮;  王德君;  马继开;  陈素华;  王海波 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/27 二氧化硅/碳化硅  4H-碳化硅  X射线光电子谱  超薄氧化膜