| 用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成 | |
| 赵亮; 王德君; 马继开; 陈素华; 王海波 | |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 33页码:121-125 |
| 关键词 | 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5598659 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学,电子系,辽宁,大连,116023 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵亮,王德君,马继开,等. 用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成[J]. 半导体技术,2008,33:121-125. |
| APA | 赵亮,王德君,马继开,陈素华,&王海波.(2008).用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成.半导体技术,33,121-125. |
| MLA | 赵亮,et al."用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成".半导体技术 33(2008):121-125. |
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