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物理研究所 [24]
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Reversible modulation of electric transport properties by oxygen absorption and releasing on Nb:SrTiO3 surface
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 116, 期号: 17
Lu, HX
;
Liu, YB
;
Chen, YS
;
Wang, J
;
Shen, BG
;
Sun, JR
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/04/14
Optically Powered ZnO Nanowires with Symmetric and Asymmetric Contacts
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 1203
Zhang, LH
;
Zhang, XX
;
Lai, JL
;
Liu, Z
;
Hou, SM
;
Xie, SS
;
Gao, M
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/01/16
ZnO Nanowire
Photovoltage
Photocurrent
Position Sensitivity
Schottky Barrier
Elimination of the Schottky Barrier at an Au-ZnSe Nanowire Nanocontact via in Situ Joule Heating
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 1
Tan, Y
;
Wang, YG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/01/16
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
Cao, ZF
;
Lin, ZJ
;
Lu, YJ
;
Luan, CB
;
Yu, YX
;
Chen, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
BREAKDOWN VOLTAGE
GAN
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4
Lu, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Cao, ZF
;
Luan, CB
;
Chen, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 9
Lu, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Cao, ZF
;
Luan, CB
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/18
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/09/24
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
INTERFACIAL LAYER
MOBILITY
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Corrigan, TD
;
Zhao, JZ
;
Cao, ZF
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Wang, ZG
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
PEDOT:PSS Schottky contacts on annealed ZnO films
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4
Zhu, YB
;
Hu, W
;
Na, J
;
He, F
;
Zhou, YL
;
Chen, C
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/09/24
N-GAN
ALGAN/GAN
INSERTION
DIODE
Grain boundary resistivities of polycrystalline Au films
期刊论文
EPL, 2011, 卷号: 96, 期号: 1
Zhang, X
;
Song, XH
;
Zhang, XG
;
Zhang, DL
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提交时间:2013/09/17
GOLD-FILMS
ELECTRICAL-RESISTIVITY
CONDUCTIVITY
TEMPERATURE
RESISTANCE
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