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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile 会议论文 作者:  Wei, Sufen;  Zhang, Guohe;  Huang, Huixiang;  Liu, Jing;  Shao, Zhibiao 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/19 The impact of heat loss paths on the electrothermal models of self-heating effects in nanoscale tri-gate SOI MOSFETs 期刊论文 IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 卷号: 15 作者:  Su, Yali;  Lai, Junhua;  Liang, Feng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 tri-gate SOI MOSFETs  self-heating effects (SHEs)  gate dissipation channels   Metal-Gate Resistance with Skin Effect Consideration in Nanoscale MOSFETs for Millimeter-Wave ICs 会议论文 作者:  Lam, Sang;  Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 metal-gate MOSFET  skin effect  nanoscale CMOS  millimeter-wave integrated circuits  gate resistance   Effect of Parasitic Capacitances and Resistances on the RF Performance of Nanoscale MOSFETs 会议论文 作者:  Lam, Sang;  Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/03 parasitic capacitances  nanoelectronic devices  MOSFET structures  access resistances  radio-frequency (RF)