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	Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile
	Wei, Sufen; Zhang, Guohe; Huang, Huixiang; Liu, Jing; Shao, Zhibiao; Geng, Li; Yang, Cheng-Fu
	2018
卷号	24
页码	179-192
会议录	MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS
URL标识	查看原文
ISSN号	0946-7076
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2829444
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wei, Sufen,Zhang, Guohe,Huang, Huixiang,et al. Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile[C]. 见:.

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