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北京大学 [3]
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2006 [2]
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PECVD SiC材料刻蚀技术
期刊论文
半导体学报, 2006
陈晟
;
李志宏
;
张国炳
;
郭辉
;
王煜
;
田大宇
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率
PECVDSiC薄膜激光退火实验研究
其他
2006-01-01
罗睿
;
郭辉
;
张海霞
;
王煜
;
李素兰
;
张秀兰
;
张国炳
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/12
PECVD法 碳化硅薄膜 激光退火条件 电子器件 MEMS器件 机械特性
PECVD SiC材料刻蚀技术研究
其他
2005-01-01
陈晟
;
李志宏
;
张国炳
;
郭辉
;
王煜
;
田大宇
;
李素兰
;
边伟
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
PECVD碳化硅
反应离子刻蚀
电感耦合离子刻蚀
氢含量
功率
压强
刻蚀速率
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