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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型 期刊论文 半导体学报, 2006 何进; 陶亚东; 边伟; 刘峰; 牛旭东; 宋岩 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 MOSFETs 器件物理 非传统MOSFET 双栅结构 器件模型 载流子方法