一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.062

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型; A Carrier-Based Analytic Model for the Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs
	何进 ; 陶亚东 ; 边伟 ; 刘峰 ; 牛旭东 ; 宋岩
刊名	半导体学报
	2006
关键词	MOSFETs 器件物理非传统MOSFET 双栅结构器件模型载流子方法
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.062
英文摘要	提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; z1; 242-247; 27
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/265313]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	何进,陶亚东,边伟,等. 一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型, A Carrier-Based Analytic Model for the Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs[J]. 半导体学报,2006.
APA	何进,陶亚东,边伟,刘峰,牛旭东,&宋岩.(2006).一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型.半导体学报.
MLA	何进,et al."一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型".半导体学报 (2006).