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科研机构
厦门大学 [32]
内容类型
期刊论文 [29]
学位论文 [3]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
2014 [1]
2013 [7]
2012 [1]
2011 [3]
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专题:厦门大学
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85
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提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究
学位论文
2016, 2014
李晓莹
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/06/20
氮化镓
垂直结构发光二极管
In组分渐变多量子阱
低压激光剥离
侧壁粗化。
GaN
vertical-structured light-emitting diodes
graded-indium content multiple quantum wells
low-pressure laser lift-off
sidewall texturing
侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究
期刊论文
2015
李晓莹
;
朱丽虹
;
邓彪
;
张玲
;
刘维翠
;
曾凡明
;
刘宝林
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/05/17
GaN
发光二极管
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
侧壁粗化
出光效率
GaN
light-emitting diode(LED)
inductively coupled plasma(ICP)etching
sidewall texturing
light output efficiency
Extraordinary N atom tunneling in formation of InN shell layer on GaN nanorod m-plane sidewall
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/25/49/495705, 2014
Cai, Duanju
;
Lin, N
;
Xu, Hongmei
;
Liao, Che-Hao
;
Yang, C.C.
;
蔡端俊
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/07/22
Atoms
Calculations
Gallium alloys
Indium
Metal nanoparticles
Nanorods
Organometallics
Sapphire
Wetting
自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射
期刊论文
2013
杨晓东
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2016/05/17
材料
GaN岛
量子阱
微观结构
发光特性
白光
materials
GaN islands
quantum wells
microstructure
luminescence property
white light
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Li, Cheng
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/12/12
THERMAL-EXPANSION
SILICON
GE
SUBSTRATE
FILMS
OPTOELECTRONICS
GAIN
MASS
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Li, Cheng
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/07/22
THERMAL-EXPANSION
SILICON
GE
SUBSTRATE
FILMS
OPTOELECTRONICS
GAIN
MASS
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on- insulator with large tensile strain for Si-based light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Li, Cheng
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/07/22
Germanium
Photoluminescence
Silica
Silicon
Semi-polar faceted InGaN/GaN quantum wells in self-organized GaN islands for white light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.3788/CJL201340.0406002, 2013
Yang, Xiaodong
;
杨晓东
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
Gallium nitride
Materials
Microstructure
Semiconductor quantum wells
Transmission electron microscopy
Improved Quantum Efficiency in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Quantum Wells Grown on GaN Prepared by Lateral Epitaxial Overgrowth
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2282233, 2013
Zhu, Lihong
;
Zeng, Fanming
;
Liu, Wei
;
Feng, Zhechuan
;
Liu, Baolin
;
Lu, Yijun
;
Gao, Yulin
;
Chen, Zhong
;
刘宝林
;
高玉琳
;
陈忠
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
LIGHT-EMITTING-DIODES
A-PLANE GAN
ELECTRIC-FIELD
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
Improved quantum efficiency in semipolar (1101) InGaN/GaN quantum wells grown on gan prepared by lateral epitaxial overgrowth
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2282233, 2013
Zhu, Lihong
;
Zeng, Fanming
;
Liu, Wei
;
Feng, Zhechuan
;
Liu, Baolin
;
Lu, Yijun
;
Gao, Yulin
;
Chen, Zhong
;
朱丽虹
;
陈忠
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
Epitaxial growth
Gallium nitride
Metallorganic chemical vapor deposition
Optical properties
Photoluminescence
Quantum efficiency
Scanning electron microscopy
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