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厦门大学 [5]
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III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究
学位论文
2016, 2016
曾凡明
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/06/20
III族氮化物半导体
弱极性晶面
量子阱结构
SAE外延技术
组分渐变
III-nitrides
semipolar
quantum wells
SAE
indium-graded technique
提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究
学位论文
2016, 2014
李晓莹
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/06/20
氮化镓
垂直结构发光二极管
In组分渐变多量子阱
低压激光剥离
侧壁粗化。
GaN
vertical-structured light-emitting diodes
graded-indium content multiple quantum wells
low-pressure laser lift-off
sidewall texturing
GaN基LED中有源区的极化场调控
学位论文
2013, 2013
刘威
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/01/13
极化场调控
In组分渐变
内量子效率
polarization field modulation
In-graded
Internal quantum efficiency
提高GaN基LED发光效率的研究
学位论文
2011, 2010
朱丽虹
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2013/07/17
GaN基LED
GaN-based LED
蒙托卡罗方法
Monte Carlo photon-raytracing method
MOCVD
MOCVD
InGaN/GaN 多量子阱
InGaN/GaN MQW
欧姆接触
ohmic contact
侧向外延过生长
LEO technique
极化效应
polarization effect.
内量子效率。
In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能
期刊论文
2010
朱丽虹
;
蔡加法
;
李晓莹
;
邓彪
;
刘宝林
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/05/17
金属有机物化学气相沉积
InGaN/GaN多量子阱
发光二极管
内量子效率
metal organic chemical vapor deposition
InGaN /GaN multiple quantum wells
light-emitting diode
internal quantum efficiency
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