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清华大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
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2010 [4]
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应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性
期刊论文
2010, 2010
张侃
;
梁仁荣
;
徐阳
;
许军
;
ZHANG Kan
;
LIANG Renrong
;
XU Yang
;
XU Jun
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浏览/下载:5/0
采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文)
期刊论文
2010, 2010
梁仁荣
;
张侃
;
杨宗仁
;
徐阳
;
王敬
;
许军
;
Liang Renrong
;
Zhang Kan
;
Yang Zongren
;
Xu Yang
;
Wang Jing
;
Xu Jun
收藏
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浏览/下载:3/0
多层复合结构应变硅材料的生长和特性
期刊论文
2010, 2010
梁仁荣
;
王敬
;
徐阳
;
许军
;
李志坚
;
LIANG Renrong
;
WANG Jing
;
XU Yang
;
XU Jun
;
LI Zhijian
收藏
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浏览/下载:4/0
纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术
期刊论文
2010, 2010
陈长春
;
刘江锋
;
余本海
;
戴启润
;
刘志弘
;
CHEN Chang-chun
;
LIU Jiang-feng
;
YU Ben-hai
;
DAI Qi-run
;
LIU Zhi-hong
收藏
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