×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [73]
微电子研究所 [38]
苏州纳米技术与纳米... [26]
北京大学 [17]
湖南大学 [13]
山东大学 [12]
更多...
内容类型
期刊论文 [231]
发表日期
2019 [12]
2018 [19]
2017 [19]
2016 [14]
2015 [15]
2014 [16]
更多...
学科主题
半导体材料 [30]
半导体物理 [12]
微电子学 [3]
光电子学 [2]
红外基础研究 [2]
Engineerin... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共231条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Lin, Zheng-Zhao
;
Lu, Ling
;
Zheng, Xue-Feng
;
Cao, Yan-Rong
;
Hu, Pei-Pei
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2022/04/11
gallium nitride
radiation effects
defects
pulse testing
Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
Single Event Burnout Hardening of Enhancement Mode HEMTs With Double Field Plates
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 9, 页码: 2358-2366
作者:
Zhen, Zixin
;
Feng, Chun
;
Wang, Quan
;
Niu, Di
;
Wang, Xiaoliang
;
Tan, Manqing
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2022/03/28
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2021/07/06
Strong interfacial coupling effects of ferroelectric polarization with two-dimensional electron gas in BaTiO3/MgO/AlGaN/GaN/Si heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 5677
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Zhao, Junliang
;
Zhu, Qiuxiang
;
Chen, Yongbo
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:
Xie, Ruiliang
;
Yang, Xu
;
Xu, Guangzhao
;
Wei, Jin
;
Wang, Yuru
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Analytical approach
GaN HEMTs
Junction capacitances
Physical behaviors
Schottky junctions
Switching transient
Terminal measurements
Threshold-voltage instabilities
Defect evolution of oxygen induced Vth-shift for ON-state biased AlGaN/GaN HEMTs (Open Access)
期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 14
作者:
Wang, Rong
;
Xu, Jianxing
;
Zhang, Shiyong
;
Cheng, Zhe
;
Zhang, Lian
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60
作者:
Zhu, Gengchang
;
Liang, Guangda
;
Zhou, Yang
;
Chen, Xiufang
;
Xu, Xiangang
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Reactive evaporation
SiOx
Passivation
GaN
HEMTs
Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: Vol.114 No.1
作者:
Zhang, Sheng
;
Wei, Ke
;
Ma, Xiao-Hua
;
Hou, Bin
;
Liu, Guo-Guo
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace