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P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:
王思源1,2
;
孙静2
;
陆妩1,2
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2021/03/09
金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)
剂量计
差分电路
灵敏度
总剂量
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/06/21
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路
期刊论文
2019, 页码: 17-20
作者:
乔小可
;
杨媛
;
王庆军
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
金属-氧化物半导体场效应晶体管
开关特性
驱动电路
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究
期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:
孙静
;
郭旗
;
郑齐文
;
崔江维
;
何承发
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/01/03
辐照传感器
基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管
剂量计
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究
期刊论文
《物理学报》, 2018, 卷号: 67, 页码: 284-293
作者:
彭超[1,2]
;
恩云飞[1]
;
李斌[2]
;
雷志锋[1]
;
张战刚[1]
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/04/22
绝缘体上硅
总剂量效应
寄生效应 实验和仿真
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
余徳昭
;
周航
;
苏丹丹
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/01/18
纳米器件
P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
负偏压温度不稳定性
声呐发射机中D类功率放大器的设计
期刊论文
电声技术, 2017, 期号: 2
作者:
车贺宾
;
江鹏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/05
声呐发射机
半桥电路
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
作者:
周航
;
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
郭旗
;
任迪远
;
余德昭
;
苏丹丹
;
郭旗
;
余学峰
收藏
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浏览/下载:118/0
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提交时间:2016/06/02
绝缘体上硅
电离辐射
热载流子
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应
期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
王汉宁
;
周航
;
余徳昭
;
魏莹
;
苏丹丹
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2016/06/02
总剂量辐射效应
超深亚微米
金属氧化物半导体场效应晶体管
静态随机存储器
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