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P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:  王思源1,2;  孙静2;  陆妩1,2
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/03/09
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路 期刊论文
2019, 页码: 17-20
作者:  乔小可;  杨媛;  王庆军
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/03
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
作者:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/07/01
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/03/19
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/07/06
绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究 期刊论文
《物理学报》, 2018, 卷号: 67, 页码: 284-293
作者:  彭超[1,2];  恩云飞[1];  李斌[2];  雷志锋[1];  张战刚[1]
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22
溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 期刊论文
《半导体技术》, 2018, 卷号: 43, 页码: 321-334
作者:  吴宝仔;  廖荣;  刘玉荣
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/22

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