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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SOI MOSFET的失真行为 期刊论文 半导体学报, 2003 张国艳; 黄如; 张兴; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 失真行为  幂级数  SOI MOSFET  distortion behavior  power series method  SOI MOSFET   SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 期刊论文 半导体学报, 2001 万新恒; 张兴; 黄如; 甘学温; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/10/23 SOI MOSFET  辐照特性   深亚微米FD-SOI器件亚阈模型 期刊论文 半导体学报, 2001, 期号: 7, 页码: 908-914 作者:  程彬杰;  邵志标;  唐天同;  沈文正;  赵文魁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 表面势  全耗尽MOS器件  亚阈区模型  漏感应势垒降低效应   0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制 期刊论文 半导体学报, 2000 张兴; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 MOS/SOI器件  薄膜  设计