SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.023

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移; Shift of Transitions Between Partially and Fully-Depleted Behavior in SOI MOSFET due to Radiation
	万新恒 ; 张兴 ; 黄如 ; 甘学温 ; 王阳元
刊名	半导体学报
	2001
关键词	SOI MOSFET 辐照特性
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.023
英文摘要	首次报道了辐照所引起的SOI/MOS器件PD(部分耗尽) 与FD(全耗尽) 过渡区的漂移．基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型，模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移．讨论了辐照引起FD与PD器件转化的原因，进一步分析了FD与PD器件的辐照效应．; The shift of transitions between partially and fully-depleted behavior in SOI MOSFET due to the　radiation is first reported.Based on the derived fully continuous compact SOI MOSFET model，including the　total dose effects,the shift of transitions between partially and fully-depleted behavior due to the　radiation is simulated.Furthermore,the total dose ionizing effects of the　partially and fully-depleted SOI MOSFETs are briefly discussed.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 358-361; 22
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24348]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	万新恒,张兴,黄如,等. SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移, Shift of Transitions Between Partially and Fully-Depleted Behavior in SOI MOSFET due to Radiation[J]. 半导体学报,2001.
APA	万新恒,张兴,黄如,甘学温,&王阳元.(2001).SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移.半导体学报.
MLA	万新恒,et al."SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移".半导体学报 (2001).