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| 基于LINAC慢正电子源的EGS4模拟 期刊论文 核技术, 2000, 期号: 6, 页码: 405-410 作者: 于润升 ; 魏龙 ; 裴国玺 ; 王宝义 ; 陈红民
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| Hg_(1-x)Cd_xTe晶体缺陷的正电子湮没寿命 期刊论文 物理学报, 1998 李丽君; 王作新; 吴锦雷
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| 用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响 期刊论文 金属学报, 1995, 期号: 17, 页码: 238-240 谷月峰,邓文,郭建亭,熊良钺,林栋梁
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| 金属的传导电子密度与正电子湮没率的关系 期刊论文 金属学报, 1995, 期号: 10, 页码: 438-444 王京阳,熊良钺,龙期威
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| 半导体中正电子向表面的扩散 期刊论文 核技术, 1995, 期号: 4, 页码: 199-202 姜健,周新章,朱洁,龙期威
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| 用正电子湮没技术研究Zr对Ni3Al缺陷态的影响 期刊论文 金属学报, 1995, 卷号: 31.0, 期号: 005, 页码: B238-B240 作者: 谷月峰; 邓文; 郭建亭; 熊良钺; 林栋梁
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| 腐蚀疲劳断裂过程中氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究 期刊论文 核技术, 1993, 期号: 06 俞方华; 郑文龙; 苏立民; 朱锡英; 闵国全; 项开华
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| BiPbSbSrCaCuO非晶态及热处理对其影响 期刊论文 低温物理学报, 1993, 期号: 06 张宏; 吴鸿; 胡素辉
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| 用正电子湮没技术研究硼在Ni_3Al中的存在形式 期刊论文 金属学报, 1992, 期号: 10, 页码: 21-24 邓文; 熊良钺; 龙期威; 王淑荷; 郭建亭
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| 聚对苯二甲酸乙二酯中正电子湮没寿命参数温度效应的研究 期刊论文 高分子学报, 1992, 期号: 2, 页码: 188-195 作者: 王淑英; 农笔耕; 张天保; 王海东
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