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体硅 nFinFET 总剂量效应三维TCAD 仿真研究 期刊论文
微电子学与计算机, 2018
作者:  郑中山;  黄云波;  李博;  杨玲;  罗家俊
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/03/28
单粒子软错误的数值仿真技术 期刊论文
抗核加固, 2017
作者:  毕津顺
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2018/07/13
3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制 期刊论文
大功率变流技术, 2016
作者:  高云斌;  吴煜东;  申华军;  彭朝阳;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2017/05/08
"Process Impact and Design Optimization on the 期刊论文
ECS Transactions, 2011
作者:  Li M(李萌)
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2012/11/16
一种减少VDMOS寄生电容的新结构 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 32, 期号: 20, 页码: 3,200-202
作者:  郭丽莎;  夏洋
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/06/01
基于SOISi片的二极管红外探测器 期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 5,525-529
作者:  何伟;  陈大鹏;  明安杰;  黄卓磊;  欧毅
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/06/01
SOI动态阈值MOS器件结构改进 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 5,280-284
作者:  宋文斌;  毕津顺;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/06/01
新型部分耗尽SOI器件体接触结构 期刊论文
半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 4,968-971
作者:  宋文斌;  毕津顺;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/05/27
击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制 期刊论文
微电子学与计算机, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 4,72_75
作者:  韩郑生;  王晓慧;  杜寰
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/05/26
新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 4,503_506
作者:  陆江;  蔡小五;  海潮和;  王立新
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/05/26


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