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科研机构
微电子研究所 [14]
内容类型
期刊论文 [14]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
2016 [1]
2011 [1]
2009 [3]
2008 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:微电子研究所
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体硅 nFinFET 总剂量效应三维TCAD 仿真研究
期刊论文
微电子学与计算机, 2018
作者:
郑中山
;
黄云波
;
李博
;
杨玲
;
罗家俊
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/03/28
单粒子软错误的数值仿真技术
期刊论文
抗核加固, 2017
作者:
毕津顺
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/07/13
3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制
期刊论文
大功率变流技术, 2016
作者:
高云斌
;
吴煜东
;
申华军
;
彭朝阳
;
刘新宇
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/05/08
"Process Impact and Design Optimization on the
期刊论文
ECS Transactions, 2011
作者:
Li M(李萌)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/11/16
一种减少VDMOS寄生电容的新结构
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 32, 期号: 20, 页码: 3,200-202
作者:
郭丽莎
;
夏洋
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/06/01
Vdmos
电容
Tcad
开关时间
基于SOISi片的二极管红外探测器
期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 5,525-529
作者:
何伟
;
陈大鹏
;
明安杰
;
黄卓磊
;
欧毅
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/06/01
红外热成像
红外探测器
二极管 Soi
温度灵敏度
Ir
SOI动态阈值MOS器件结构改进
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 5,280-284
作者:
宋文斌
;
毕津顺
;
韩郑生
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/06/01
绝缘体上硅
动态阈值场效应管
体电容
体电阻
新型部分耗尽SOI器件体接触结构
期刊论文
半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 4,968-971
作者:
宋文斌
;
毕津顺
;
韩郑生
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/05/27
绝缘体上硅 浮体效应
体接触
寄生电容
体电阻
击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制
期刊论文
微电子学与计算机, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 4,72_75
作者:
韩郑生
;
王晓慧
;
杜寰
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/05/26
高压pmos器件
轻掺杂漏
击穿电压
器件模拟
新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟
期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 4,503_506
作者:
陆江
;
蔡小五
;
海潮和
;
王立新
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/05/26
Vdmos
超结
击穿电压
导通电阻
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