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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/05/06
双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究 期刊论文
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1635-1640
作者:  王利斌;  姚帅;  陆妩;  王信;  于新
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/10/09
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:  魏莹;  文林;  李豫东;  郭旗
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/09/07
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响 期刊论文
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1122-1126
作者:  姚帅;  陆妩;  于新;  李小龙;  王信
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/06/21
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/03/19
双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性 期刊论文
核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 13-19
作者:  贾金成;  李小龙;  陆妩;  孙静;  王信
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/10/18
双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 229-235
作者:  马武英;  陆妩;  郭旗;  何承发;  吴雪
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/11/11

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