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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：国家空间科学中心    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of single-event upset generated by heavy ion and pulsed laser 期刊论文 Science China Information Sciences, 2017, 卷号: 60, 期号: 7 作者:  Liang, Bin;  Song, Ruiqiang;  Han, Jianwei;  Chi, Yaqing;  Chen, Rui 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2017/09/14 Laser SEU sensitivity mapping of deep submicron CMOS SRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 6 作者:  Yu, Yongtao;  Feng, Guoqiang;  Chen, Rui;  Han, Jianwei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/09/22 CMOS器件单粒子效应电荷收集机理 期刊论文 北京航空航天大学学报, 2014, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 839-843 作者:  董刚;  封国强;  陈睿;  韩建伟 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/09/22 单粒子瞬变  重离子  寄生双极放大效应  反相器  电荷收集  CMOS工艺   单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法 期刊论文 核电子学与探测技术, 2013, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 289-295 陈睿; 纪冬梅; 封国强; 沈忱; 韩建伟 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2014/04/30 单粒子效应  数值仿真  TCAD 器件模型  几何效应  阱接触   基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估 期刊论文 空间科学学报, 2011, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 498-502 作者:  陈善强;  师立勤 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/12/15 单粒子效应  三维模拟