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长春光学精密机械与物... [1]
过程工程研究所 [1]
暨南大学 [1]
武汉大学 [1]
西安理工大学 [1]
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内容类型
学位论文 [10]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2017 [2]
2013 [2]
2009 [2]
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铟基半导体材料气敏性能研究及气体传感器信号处理
学位论文
: 中国科学院大学, 2020
作者:
边毓智
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/09/07
挥发性有机化合物,Inocl,氧化铟,放大电路,气体传感器
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
基于场效应晶体管结构的多功能有机光电器件研究
学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
李东伟
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提交时间:2019/09/23
有机场效应晶体管
发光晶体管
光敏晶体管
上转换
异质结
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:
苏丹丹
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/09/26
Mosfet
Tddb
辐射效应
可靠性
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:
苏丹丹
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/09/26
Mosfet
Tddb
辐射效应
可靠性
基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
席善斌
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2013/05/31
低剂量率辐射损伤增强效应
栅控晶体管
电荷分离
损伤机理
竞争模型
基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013
作者:
席善斌
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提交时间:2013/05/31
低剂量率辐射损伤增强效应
栅控晶体管
电荷分离
损伤机理
竞争模型
金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制
学位论文
2009
作者:
廖蕾
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/05
金属氧化物
纳米线
半导体
场效应晶体管
气体传感器
功率 MOSFET 新结构及其工艺研究
学位论文
: 西安理工大学, 2009
作者:
孙承
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
金属-氧化物半导体场效应晶体管
结构参数
优化设计
制造工艺
多栅场效应晶体管物理特性与器件仿真模型研究
学位论文
作者:
陈孙文
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提交时间:2019/12/13
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
双栅MOSFETS
环栅MOSFETS
仿真
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