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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Creep behavior and mechanism of casing in thermal well under cyclic steam stimulation at medium temperature 其他 2018-01-01 作者:  Wang, Hang;  Han, Lihong;  Yang, Shangyu;  Tian, Tao;  Jiang, Long 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/19 Creep  Dislocation  Heat resistant  Stacking faults  Thermal casing   Epitaxial Growth of Single Crystal and Twin Superlattice InAs Nanowires by Chemical Vapor Deposition 其他 2015-01-01 Ming Li; Jingyun Wang; Kan Li; Yingjie Xing; Hongqi Xu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 InAs nanowires  chemical vapor deposition  epitaxial growth  InAs nanowires  chemical vapor deposition  epitaxial growth   A generalized Peierls-Nabarro model for kinked dislocations 其他 2009-01-01 Wei, He; Xiang, Yang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 dislocations  dislocation dynamics  Peierls-Nabarro model  Peierls energy  dislocation kink  CURVED DISLOCATIONS  STACKING-FAULTS  SILICON  CORE  STRESS  ENERGY  CRYSTALS  MOBILITY  EDGE  NUCLEATION   A generalized Peierls-Nabarro model for curved dislocations using discrete Fourier transform 其他 2008-01-01 Wei, He; Xiang, Yang; Ming, Pingbing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 dislocation  Peierls-Nabarro model  Peierls stress  Peierls energy  dislocation kink  STACKING-FAULTS  KINK PAIRS  MOBILITY  STRESS  CRYSTALS  SILICON  ENERGY  CORE  NUCLEATION  METALS   HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY ANALYSIS OF ION-BEAM INDUCED ANNEALING OF MEV AS+ ION-IMPLANTED SILICON 其他 1991-01-01 ZHANG, BX; WANG, ZL; QI, L; ZHANG, PJ; ZHENG, JG; WANG, LC; DU, AY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 INDUCED EPITAXIAL REGROWTH  AMORPHOUS-SILICON  RECRYSTALLIZATION  SI  DAMAGE  LAYERS