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北京大学 [8]
厦门大学 [1]
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其他 [9]
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2016 [1]
2015 [1]
2013 [1]
2007 [2]
2004 [2]
2000 [1]
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提交时间降序
Performance Evaluation and Optimization of Single Layer MoS2 Double Gate Transistors with metallic contacts
其他
2016-01-01
Zeng, Lang
;
Gong, Fanghui
;
Nan, Jiang
;
Huang, Yangqi
;
Zhang, He
;
Liu, Xiaoyan
;
Zhang, Youguang
;
Zhao, Weisheng
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Optically powered ZnO nanowires with symmetric and asymmetric contacts
其他
2013-01-01
Zhang, Lihuan
;
Zhang, Xiaoxian
;
Lai, Jialin
;
Liu, Zhao
;
Hou, Shimin
;
Xie, Sishen
;
Gao, Min
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/12/03
Role of interface layers and localized states in TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC
其他
2007-01-01
Gao, M.
;
Tsukimoto, S.
;
Goss, S. H.
;
Tumakha, S. P.
;
Onishi, T.
;
Murakami, M.
;
Brillson, L. J.
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/10
ohmic contact
p-type 4H-SiC
work function
Ti3SiC2
interface
localized states
ELECTRICAL-PROPERTIES
SILICON-CARBIDE
AL/TI CONTACTS
IMPLANTATION
MECHANISM
TI3SIC2
Fabrication of ZnO Thin Film schottky ultraviolet photodetector - art no 67221W
其他
2007-01-01
Huang, Bo
;
He, Guan-Nan
;
Wu, Yue-Bo
;
Zhang, Liang-Tang
;
Li, Jing
;
Guo, Dong-Hui
;
Wu, Sun-Tao
;
李静
;
郭东辉
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
CRYSTALS
Fabrication and characteristics of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(100) substrates
其他
2004-01-01
Han, DD
;
Wang, X
;
Wang, Y
;
Tian, DY
;
Wang, W
;
Liu, XY
;
Kang, JF
;
Han, RQ
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
SOURCE/DRAIN
BARRIER
TRANSISTORS
MOSFETS
SILICON
Fabrication and characteristics of Ti- And Ni-germanide schottky contacts on n-Ge (100) substrates
其他
2004-01-01
Han, Dedong
;
Wang, Xin
;
Wang, Yi
;
Tian, Dayu
;
Wang, Wei
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
Properties of ion implanted epitaxial CoSi2/Si(100) after rapid thermal oxidation
其他
2000-01-01
Zhao, QT
;
Kluth, P
;
Xu, J
;
Kappius, L
;
Zastrow, U
;
Wang, ZL
;
Mantl, S
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/12
silicide
ion implantation
oxidation
Schottky diode
LOCAL OXIDATION
COSI2 LAYER
DIFFUSION
SILICIDES
JUNCTIONS
SI
CHARACTERIZATION OF REFRACTORY METAL NITRIDE SCHOTTKY CONTACTS ON GaAs
其他
1989-01-01
ZHANG Lichun
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
Schottky
aligned
annealing
contacts
breakdown
MESFET
nitride
annealed
maintain
Refractory
Schottky
aligned
annealing
contacts
breakdown
MESFET
nitride
annealed
maintain
Refractory
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