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北京大学 [13]
内容类型
其他 [13]
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2016 [1]
2014 [2]
2012 [1]
2008 [2]
2007 [2]
2004 [2]
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Investigation of local heating effect for 14nm Ge pFinFETs based on Monte Carlo method
其他
2016-01-01
Yin, Longxiang
;
Jiang, Hai
;
Shen, Lei
;
Wang, Juncheng
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Denaturant effect on free energy of protein unfolding process
其他
2014-01-01
李茂东
;
刘志荣
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/10/23
Protein denaturation transfer model binding model
Three dimemsional electro-thermal coupled Monte Carlo device simulation
其他
2014-01-01
Liu, Xiaoyan
;
Wei, Kangliang
;
Yin, Longxiang
;
Du, Gang
;
Jiang, Hai
;
Zhao, Kai
;
Zeng, Lang
;
Zhang, Xing
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
3D Parallel Full Band Ensemble Monte Carlo Devices Simulation for Nano Scale Devices Application
其他
2012-01-01
Liu, Xiaoyan
;
Wei, Kangliang
;
Du, Gang
;
Zhang, Wei
;
Zhang, Pingwen
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
ELECTRON-TRANSPORT
SOI MOSFETS
SEMICONDUCTORS
On the Effect of Scattering in Schottky Barrier MOSFETs
其他
2008-01-01
Zeng, Lang
;
Liu, Xiao Yan
;
Du, Gang
;
Kang, Jin Feng
;
Han, Ru Qi
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
scattering
ballistic transport
Schottky barrier MOSFETs
MONTE-CARLO-SIMULATION
IMPACT-IONIZATION MODEL
ELECTRON-TRANSPORT
CHANNEL
Impact of gate overlap on performance of Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors including gate induced barrier lowering effect
其他
2008-01-01
Zeng, Lang
;
Liu, Xiao-Yan
;
Du, Gang
;
Kang, Jin-Feng
;
Han, Ru-Qi
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
gate overlap
image force
Monte Carlo simulation
Schottky barrier lowering
Schottky barrier source/drain metal-oxide-semiconductor
field-effect transistors (SB MOSFETs)
SIMULATION
MOSFETS
LENGTH
NM
Effect of surface roughness on quasi-ballistic transport in nano-scale Ge and Si double-gate MOSFETs
其他
2007-01-01
Xia, Zhiliang
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
Monte Carlo simulation of band-to-band tunneling in silicon devices
其他
2007-01-01
Xia, Zhiliang
;
Du, Gang
;
Song, Yuncheng
;
Wang, Jian
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Monte Carlo
band-to-band tunneling
gate-induced-drain-leakage
INDUCED DRAIN LEAKAGE
N-MOSFETS
SEMICONDUCTORS
CHARGE
MODEL
Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI rpMOSFET
其他
2004-01-01
Du, G
;
Liu, XY
;
Xia, ZL
;
Han, RQ
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
IMPACT-IONIZATION MODEL
ELECTRON-TRANSPORT
Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI pMOSFET
其他
2004-01-01
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
;
Xia, Zhiliang
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
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