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科研机构
北京大学 [14]
内容类型
其他 [14]
发表日期
2016 [7]
2015 [1]
2013 [2]
2012 [1]
2010 [2]
2008 [1]
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共14条,第1-10条
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内容类型:其他
专题:北京大学
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85
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95
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发表日期升序
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提交时间降序
Nanowire transistor solutions for 5nm and beyond
其他
2016-01-01
Asenov, A.
;
Wang, Y.
;
Cheng, B.
;
Wang, X.
;
Asenov, P.
;
Al-Ameri, T.
;
Georgiev, V.P.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Nanowire Transistor Solutions for 5nm and Beyond
其他
2016-01-01
Asenov, A.
;
Wang, Y.
;
Cheng, B.
;
Wang, X.
;
Asenov, P.
;
Al-Ameri, T.
;
Georgiev, V. P.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Compact model
Monte Carlo
nanowire transistor
Poisson-Schrodinger
SRAM
statistical variability
INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS
SIMULATION
MOSFETS
VARIABILITY
Variability-aware TCAD Based Design-Technology Co-Optimization Platform for 7nm Node Nanowire and Beyond
其他
2016-01-01
Wang, Y.
;
Cheng, B.
;
Wang, X.
;
Towie, E.
;
Riddet, C.
;
Brown, A. R.
;
Amoroso, S. M.
;
Wang, L.
;
Reid, D.
;
Liu, X.
;
Kang, J.
;
Asenov, A.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Multi-V-T Design of Vertical Channel Nanowire FET for Sub-10nm Technology Node
其他
2016-01-01
Chen, Gong
;
Li, Ming
;
Fan, Jiewen
;
Yang, Yuancheng
;
Zhang, Hao
;
Huang, Ru
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
vertical nanowire
asymmetric doping
multi-V-T
halo
Source/Drain Architecture Design of Vertical Channel Nanowire FET for 10nm and beyond
其他
2016-01-01
Gong Chen
;
Ming Li
;
Jiayang Zhang
;
Yuancheng Yang
;
Ru Huang
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
drain
immunity
spacer
dielectric
capacitance
doping
graded
TCAD
acceptable
parasitic
drain
immunity
spacer
dielectric
capacitance
doping
graded
TCAD
acceptable
parasitic
Analysis of Self-heating Effect in a SOI LDMOS Device under an ESD Stress
其他
2016-01-01
Tianxing Li
;
Jian Cao
;
Lizhong Zhang
;
Yuan Wang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
heating
buried
robustness
inserted
TCAD
Drift
handling
productive
summarized
Figure
heating
buried
robustness
inserted
TCAD
Drift
handling
productive
summarized
Figure
GIDL Challenge of GAA SNWT For Low Power Application
其他
2016-01-01
Ming Li
;
Jiewen Fan
;
Yuancheng Yang
;
Gong Chen
;
Ru Huang
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2017/12/03
drain
transistor
junction
overcome
suppressed
extremely
modulated
leakage
overlap
TCAD
drain
transistor
junction
overcome
suppressed
extremely
modulated
leakage
overlap
TCAD
Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
其他
2015-01-01
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/04
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
Simulation of threshold voltage adjustment by B+ implantation for pMOS-RADFET application
其他
2013-01-01
Wang, Shuaimin
;
Liu, Peng
;
Zhang, Jinwen
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/13
process simulation
impurity concentration
RADFET
RADIATION SENSITIVITY
SENSORS
Research on the structure of ultrathin Si PIN detector
其他
2013-01-01
Wang, Peiquan
;
Tian, Dayu
;
Wang, Shaonan
;
Yu, Min
;
Jin, Yufeng
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
PIN detector
simulation
reverse current
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