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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28 nm FDSOI 会议论文 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Halle, GERMANY, 2016-09-01 作者:  Wang, Y.;  Cai, H.;  Naviner, L. A. B.;  Zhao, X. X.;  Zhang, Y. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Process variation  Variability analysis  Magnetic flip-flop  Asymmetrical forward body bias  FDSOI   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   An Ultra Low Power Low Noise Amplifier for 3.1 similar to 10.6 GHz UWB Receivers 会议论文 IEEE Global High Tech Congress on Electronics (GHTCE), Shenzhen, PEOPLES R CHINA, 2013 作者:  Sun, Jingru;  Wang, Chunhua;  Fu, Kui 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/05 LNA  UWB  feedback  current-reuse  forward body bias   An Ultra Low Power Low Noise Amplifier for 3.1 similar to 10.6 GHz UWB Receivers 会议论文 2013 IEEE GLOBAL HIGH TECH CONGRESS ON ELECTRONICS (GHTCE), 2013 作者:  Sun, JR;  Wang, CH;  Fu, K 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 LNA  UWB  feedback  current-reuse  forward  body  bias