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	A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28 nm FDSOI
	Wang, Y.; Cai, H.; Naviner, L. A. B.; Zhao, X. X.; Zhang, Y.; Slimani, M.; Klein, J. O.; Zhao, W. S.
	2016
会议名称	27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)
会议日期	2016-09-01
会议地点	Halle, GERMANY
关键词	Process variation Variability analysis Magnetic flip-flop Asymmetrical forward body bias FDSOI
卷号	64
页码	26-30
收录类别	SCIE ; CPCI-S
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000386401600005
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5955014
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, Y.,Cai, H.,Naviner, L. A. B.,et al. A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28 nm FDSOI[C]. 见:27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF). Halle, GERMANY. 2016-09-01.

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