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科研机构
清华大学 [1]
西安交通大学 [1]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2010 [1]
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Radiation Effect on the Electron Transport Properties of SiO2/Si Interface: Role of Si Dangling-Bond Defects and Oxygen Vacancy
会议论文
作者:
Qu, Guanghao
;
Min, Daomin
;
Zhao, Zhonghua
;
Frechette, Michel
;
Li, Shengtao
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提交时间:2019/11/19
electronic structure
radiation damage
dangling-bonds defects
SiO2/Si
first principle calculation
interface
oxygen vacancy
Synthesis and electrical properties of Co-doped Y0.08Sr0.92TiO3-delta as a potential SOFC anode
会议论文
SOLID STATE IONICS, 16th International Conference on Solid State Ionics, Shanghai, PEOPLES R CHINA, Web of Science
Li, Xue
;
Zhao, Hailei
;
Gao, Feng
;
Zhu, Zhiming
;
Chen, Ning
;
Shen, Wei
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