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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile 会议论文 作者:  Wei, Sufen;  Zhang, Guohe;  Huang, Huixiang;  Liu, Jing;  Shao, Zhibiao 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/19 Metal-Gate Resistance with Skin Effect Consideration in Nanoscale MOSFETs for Millimeter-Wave ICs 会议论文 作者:  Lam, Sang;  Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 metal-gate MOSFET  skin effect  nanoscale CMOS  millimeter-wave integrated circuits  gate resistance   Effect of Parasitic Capacitances and Resistances on the RF Performance of Nanoscale MOSFETs 会议论文 作者:  Lam, Sang;  Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/03 parasitic capacitances  nanoelectronic devices  MOSFET structures  access resistances  radio-frequency (RF)   Analytical Threshold Voltage Model Using NEGF Approach for Nanoscale Double-gate MOSFETs 会议论文 2nd IEEE International Nanoelectronics Conference, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008 作者:  Yang, JH;  Cai, XY;  Yang, AG;  Zhang, ZC 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/07/31 Deep understanding of oxide defects for stochastic charging in nanoscale MOSFETs (CPCI-S收录) 会议论文 2014 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 作者:  Qiu, Yingxin[1,2];  Wang, Runsheng[1];  Ji, Jingwei[1];  Huang, Ru[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/12