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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  Yunjie Ke;  柯昀洁;  梁红伟;  Hongwei Liang;  Rensheng Shen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 化合物半导体  金属有机化学气相沉积  喷淋头高度  量子阱   基于低温生长n—ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究 会议论文 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 西安, 2010-10-25 作者:  程轶;  梁红伟;  柳阳;  刘远达;  边继明 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/24 金属有机化学气象沉积  发光二极管  n-ZnO薄膜   基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究 会议论文 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 西安, 2010-10-25 作者:  程轶;  梁红伟;  柳阳;  刘远达;  边继明 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24 金属有机化学气象沉积  n-ZnO薄膜  InGaN/GaN多量子阱  发光二极管   非对称量子垒提高InGaN QW效率的理论模拟 会议论文 第七届中国国际半导体照明论坛 作者:  王强;  李树强;  王成新;  曲爽;  徐现刚 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 非对称量子垒  InGaN量子阱  数值模拟   AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 会议论文 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 广州, 2008-11-30 闫鹏飞; 隋曼龄 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/08/21 氮化镓异质结  化学气相沉积法  蓝宝石衬底  紫外光发光二极管  位错滑移  带状缺陷  发光性能   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 作者:  Hou QF;  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/09 ALGAN/GAN HEMTS   离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理 会议论文 功能材料, 2006 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 刘成; 谢正生; 曹春芳 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/18 半导体材料 离子刻蚀 应变多量子阱 光致发光   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOCVD  GaN  InGaN  cubic  LED  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  INGAN FILMS  ELECTROLUMINESCENCE  ZINCBLENDE  WURTZITE  MBE