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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reduced perssure-chemical vapor deposition of high quality Ge layers on SiGe/Si superlayers for microelectronics and optoelectronics purposes 会议论文 4th International Symposium on Graphene, Ge/III-V and Emerging Materials for Post-CMOS Applications - 221st ECS Meeting, Seattle, WA, United states, May 6, 2012 - May 10, 2012 作者:  Chen, Da;  Xue, Zhongying;  Liu, Su;  Zhang, Miao 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/20 Germanium  Chemical vapor deposition  Graphene  Microelectronics  Nanowires  Silicon  Substrates  Thick films  Vapors  Conventional approach  High growth temperatures  High quality  Low temperatures  Reduced pressure chemical vapor deposition  Si process  SiGe/Si  Superlayers  Tensile-strain configuration