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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 会议论文 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 EMISSION   Growth and photoluminescence of InAlGaN films 会议论文 5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：13/2  |  提交时间：2010/10/29 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  QUATERNARY ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES   Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文 10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Lan Q; Kong YC; Zhou DY; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 molecular beam epitaxy  InGaAs islands  photolumineseence  line-width  1.3 MU-M  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  LUMINESCENCE  STRAIN