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| SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109449757A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 舒斌; 高玉龙; 张利锋; 胡辉勇; 王斌
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| 一种配方烟丝中膨胀烟丝全自动分离仪及其控制方法 专利
专利号: CN105910943B, 申请日期: 2019-03-01,
作者: 邓国栋; 花昌义; 李志刚; 堵劲松; 张大波
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| Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same 专利
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者: CHENG, CHENG-WEI; LEOBANDUNG, EFFENDI; LI, NING ; SADANA, DEVENDRA K.; SHIU, KUEN-TING
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| SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 方雯; 罗军; 赵超
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| 一种多指发射极SiGe HBT器件 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-02-23
作者: 刘静; 杨腾远
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| 应变半导体沟道形成方法和半导体器件 专利
专利号: CN201010244987.3, 申请日期: 2014-02-12, 公开日期: 2012-02-08
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
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| 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者: 刘学超; 杨建华; 施尔畏
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| 一种高压超结IGBT的制作方法 专利
申请日期: 2012-09-17,
作者: 胡爱斌; 卢烁今; 朱阳军; 王波
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/08 |
| 半导体器件 专利
申请日期: 2012-08-16,
作者: 朱慧珑; 马小龙; 殷华湘; 许淼
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2012-04-12,
作者: 骆志炯; 朱慧珑; 梁擎擎; 尹海洲
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/30 |
