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Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices 专利
专利号: US9239427, 申请日期: 2016-01-19, 公开日期: 2016-01-19
作者:  RARING, JAMES, W.
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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer 专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:  CHEN, ZHEN
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Nitride semiconductor structure 专利
专利号: US8652918, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2014-02-18
作者:  STRITTMATTER, ANDRE
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Hole blocking layers in non-polar and semi-polar green light emitting devices 专利
专利号: US8379684, 申请日期: 2013-02-19, 公开日期: 2013-02-19
作者:  BHAT, RAJARAM;  SIZOV, DMITRY S.;  ZAH, CHUNG-EN
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Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG
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Semiconductor laser diode 专利
专利号: US7843980, 申请日期: 2010-11-30, 公开日期: 2010-11-30
作者:  OHTA, HIROAKI;  OKAMOTO, KUNIYOSHI
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自动检测并校正总线极性的电路结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201322874Y, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07
作者:  谢闯;  刘志峰;  杨志家;  张超;  王建军
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主从机械手通用型主手装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2251470Y, 申请日期: 1997-04-09, 公开日期: 1997-04-09
作者:  王泰耀;  胡建平;  阳如坤;  戴炬
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ZnO group epitaxial semiconductor device and its manufacture 专利
专利号: US20060170013A1, 公开日期: 2006-08-03
作者:  KATO, HIROYUKI;  MIYAMOTO, KAZUHIRO;  SANO, MICHIHIRO;  YAO, TAKAFUMI
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Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers 专利
专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19
作者:  ENATSU, YUUKI;  GUPTA, CHIRAG;  KELLER, STACIA;  MISHRA, UMESH K.;  AGARWAL, ANCHAL
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