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	Semiconductor laser diode
	OHTA, HIROAKI; OKAMOTO, KUNIYOSHI
	2010-11-30
著作权人	ROHM CO., LTD.
专利号	US7843980
国家	美国
文献子类	授权发明
其他题名	Semiconductor laser diode
英文摘要	An inventive semiconductor laser diode includes a Group III nitride semiconductor layered structure having a major crystal growth plane defined by a non-polar or semi-polar-plane. The Group III nitride semiconductor layered structure includes: a p-type cladding layer and an n-type cladding layer; an In-containing p-type guide layer and an In-containing n-type guide layer held between the p-type cladding layer and the n-type cladding layer; and an In-containing light emitting layer held between the p-type guide layer and the n-type guide layer.
公开日期	2010-11-30
申请日期	2008-05-15
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74820]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	OHTA, HIROAKI,OKAMOTO, KUNIYOSHI. Semiconductor laser diode. US7843980. 2010-11-30.

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