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Planar lightwave filter with mixed diffraction elements 专利
专利号: US20070230871A1, 申请日期: 2007-10-04, 公开日期: 2007-10-04
作者:  BIDNYK, SERGE;  BALAKRISHNAN, ASHOK;  PEARSON, MATT
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Complex coupled single mode laser with dual active region 专利
专利号: US7042921, 申请日期: 2006-05-09, 公开日期: 2006-05-09
作者:  WITZIGMANN, BERND;  TSAI, CHARLES
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Shaped top terminal 专利
专利号: AU2002306802A1, 申请日期: 2002-10-08, 公开日期: 2002-10-08
作者:  BULLINGTON, JEFF A.;  STOLTZ, RICHARD A.
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US20020031152A1, 申请日期: 2002-03-14, 公开日期: 2002-03-14
作者:  FUNABASHI, MASAKI;  YATSU, RYOSUKE;  KASUKAWA, AKIHIKO
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半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利号: JP3084042B2, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-09-04
作者:  中西 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
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Method of making distributed feedback laser having spatial variation of grating coupling along laser cavity length 专利
专利号: US5943554, 申请日期: 1999-08-24, 公开日期: 1999-08-24
作者:  DAUTREMONT-SMITH, WILLIAM CROSSLEY;  HAYES, TODD ROBERT
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半導体波長可変装置 专利
专利号: JP2907234B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21
作者:  曲 克明;  野口 悦男;  岡本 稔;  三上 修
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Method for fabricating InP diffraction grating and distributed feedback laser 专利
专利号: US5668047, 申请日期: 1997-09-16, 公开日期: 1997-09-16
作者:  MUROYA, YOSHIHARU
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分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者:  阿部 雄次;  大塚 健一;  杉本 博司;  大石 敏之;  松井 輝仁
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半導体レーザアレイ装置 专利
专利号: JP2552504B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者:  山本 修;  松井 完益;  種谷 元隆;  松本 晃広;  細羽 弘之
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