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Defect capping method for reduced defect density epitaxial articles 专利
专利号: US9218954, 申请日期: 2015-12-22, 公开日期: 2015-12-22
作者:  SINGH, RAJIV K.;  ARJUNAN, ARUL CHAKKARAVARTHI
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Semiconductor device with epitaxially grown active layer adjacent an optically passive region 专利
专利号: GB2507513A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
作者:  LUKAS CZORNOMAZ;  MIRJA RICHTER;  HEIKE E. RIEL;  JENS HOFRICHTER
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Method for manufacturing photoelectric conversion device 专利
专利号: US8207010, 申请日期: 2012-06-26, 公开日期: 2012-06-26
作者:  YAMAZAKI, SHUNPEI;  ARAI, YASUYUKI
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Multifunctional apparatus for manufacturing mineral basalt fibers 专利
专利号: US6647747, 申请日期: 2003-11-18, 公开日期: 2003-11-18
作者:  BRIK, VLADIMIR B.
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Films of catenated phosphorus materials, their preparation and use, and semiconductor and other devices employing them 专利
专利号: US5032472, 申请日期: 1991-07-16, 公开日期: 1991-07-16
作者:  MICHEL, CHRISTIAN G.;  SCHACHTER, ROZALIE;  KUCK, MARK A.;  BAUMANN, JOHN A.;  RACCAH, PAUL M.
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Protective film of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1991018082A, 申请日期: 1991-01-25, 公开日期: 1991-01-25
作者:  WATANABE YASUMASA
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Process for the directed modulation of the composition or doping of semiconductors, notably for the manufacture of planar monolithic electronic components, use and corresponding products 专利
专利号: EP0390661A1, 申请日期: 1990-10-03, 公开日期: 1990-10-03
作者:  KARAPIPERIS, LÉONIDAS;  PRIBAT, DIDIER
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Method of producing a strip-buried semiconductor laser 专利
专利号: DE3570329D1, 申请日期: 1989-06-22, 公开日期: 1989-06-22
作者:  MENIGAUX LOUIS
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Catenated phosphorus material 专利
专利号: GB2113663B, 申请日期: 1986-10-29, 公开日期: 1986-10-29
作者:  MARK, ALLEN, KUCK;  CHRISTIAN, GABRIEL, MICHEL;  ROZALIE, SCHACHTER;  JOHN, ANDREW, BAUMANN;  PAUL, MORDECAI, RACCAH
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Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1983155789A, 申请日期: 1983-09-16, 公开日期: 1983-09-16
作者:  UMEDA JIYUNICHI;  SHIMADA JIYUICHI;  NAKAMURA MICHIHARU;  KATAYAMA YOSHIFUMI;  KAJIMURA TAKASHI
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